GaN RF R&D Senior Engineer

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Job details


Xiamen
2019-11-05 16:51
29247
R&D/Science
Semiconductors

Job description




GaN氮化镓射频外延和芯片开发人才
(技术专家或者技术管理岗位均可,知名半导体企业,需要多名行业内优秀人才)

职责:

1、开发power GaN SBD 器件工艺技术,包含超高电压超高电流器件布局设计,电场板设计,结构设计与器件特性分析等.
2、开发power GaN HEMT 器件工艺技术, 包含超高电压超高电流D、E mode设计,电场板设计,结构设计与器件特性分析


要求:
1、本科及以上学历,半导体器件设计与制作相关专业
2、有GaN 功率器件设计与制作相关经验

联系人:zoey.li@morganphilipscn.com
电话:020 28298686/13560405027
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